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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉換器和驅動(dòng)器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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純晶圓代工廠(chǎng)格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠(chǎng)公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術(shù)，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢，可幫助數據中心滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的電力需求，
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臺達電子與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，瞄準GaN

6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商德州儀器（TI）成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長(cháng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng )新技術(shù)，強化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過(guò)與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，運用TI在數位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗與技術(shù)優(yōu)勢，提升電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術(shù)交流及合作，以更具前瞻
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GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)

根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
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德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率?！? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動(dòng)器應用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調 (HVAC) 系統時(shí)通常面臨的許多設
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漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結構的不同，本文通過(guò)深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進(jìn)行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說(shuō)明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN HEMT是基于A(yíng)lGaN/GaN異質(zhì)結，目前市面上還未出現G
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純化合物半導體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結合了多項改進(jìn)，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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CGD為電機控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開(kāi)發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現對潛在客戶(hù)的聯(lián)合訪(fǎng)問(wèn)和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團隊，在開(kāi)發(fā)電力解決方案方面有著(zhù)非常豐富的經(jīng)驗
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。此次收購將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)的持續開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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GaN FET讓您實(shí)現高性能D類(lèi)音頻放大器

D類(lèi)音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實(shí)現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實(shí)現優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時(shí)，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個(gè)PWM調制器和兩個(gè)半橋功率級子板，實(shí)現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測試面臨的挑戰　　Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅動(dòng)電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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